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半導體制造翻譯
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導電性能介于導體與絕緣體(insulator)之間的材料，叫做半導體（semiconductor）．
物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱(chēng)為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱(chēng)為導體�？梢院�(jiǎn)單的把介于導體和絕緣體之間的材料稱(chēng)為半導體。與金屬和絕緣體相比，半導體材料的發(fā)現是最晚的，直到20世紀30年代，當材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認可。
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數的物質(zhì)。半導體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數則減小。半導體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類(lèi)。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ
族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物(
硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態(tài)半導體外，還有非晶態(tài)的玻璃半導體、有機半導體等。
本征半導體
不含雜質(zhì)且無(wú)晶格缺陷的半導體稱(chēng)為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價(jià)帶是滿(mǎn)帶(見(jiàn)能帶理論)，受到熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì )越過(guò)禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價(jià)帶中缺少一個(gè)電子后形成一個(gè)帶正電的空位，稱(chēng)為空穴（圖
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）。導帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱(chēng)電子
-
空穴對，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們在外電場(chǎng)作用下產(chǎn)生定向運動(dòng)而形成宏觀(guān)電流，分別稱(chēng)為電子導電和空穴導電。
這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱(chēng)為本征導電。導帶中的電子會(huì )落入空穴，電子-空穴對消失，稱(chēng)為復合。復合時(shí)釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動(dòng)能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子
-
空穴對的產(chǎn)生和復合同時(shí)存在并達到動(dòng)態(tài)平衡，此時(shí)半導體具有一定的載流子密度，從而具有一定的電阻率。溫度升高時(shí)，將產(chǎn)生更多的電子
-
空穴對，載流子密度增加，電阻率減小。無(wú)晶格缺陷的純凈半導體的電阻率較大，實(shí)際應用不多。
半導體中雜質(zhì)
半導體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質(zhì)時(shí)，雜質(zhì)原子附近的周期勢場(chǎng)受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級。存在受主雜質(zhì)時(shí)，在價(jià)帶中形成一個(gè)空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多。半導體摻雜后其電阻率大大下降。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會(huì )使自由載流子數增加而導致電阻率減小，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據此原理制成的。對摻入施主雜質(zhì)的半導體，導電載流子主要是導帶中的電子，屬電子型導電，稱(chēng)N型半導體。
PN結 P型半導體與N型半導體相互接觸時(shí)，其交界區域稱(chēng)為PN結。P區中的自由空穴和N區中的自由電子要向對方區域擴散，造成正負電荷在
PN
結兩側的積累，形成電偶極層。電偶極層中的電場(chǎng)方向正好阻止擴散的進(jìn)行。當由于載流子數密度不等引起的擴散作用與電偶層中電場(chǎng)的作用達到平衡時(shí)，P區和N區之間形成一定的電勢差，稱(chēng)為接觸電勢差。由于P
區中的空穴向N區擴散后與N區中的電子復合，而N區中的電子向P區擴散后與P
區中的空穴復合，這使電偶極層中自由載流子數減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成PN結的半導體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。
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